從第一款氮化鎵快充電源量產到如今成百上千款氮化鎵新品涌入市場，短短三年時間，整個氮化鎵快充電源市場的容量翻了百倍，昔日只有個別第三方配件品牌敢于嘗試的氮化鎵技術，如今便已成為了一線手機、筆電品牌的主流產品，不得不感嘆技術迭代的魅力。目前已有多家廠商推出數十款合封氮化鎵芯片，在即將舉辦的2022（春季）亞洲充電展上，東科將分享并展示最新推出的合封氮化鎵芯片和相關技術分享。

A12、13、14、15展位：東科半導體（安徽）股份有限公司

  DK025G是一款高度集成了650V/800mΩ GaN HEMT的準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片。DK025G檢測功率管漏極和源極之間的電壓VDS,當VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關損耗并改善電磁干擾(EMI)。芯片最高支持250KHz開關頻率，芯片內部集成氮化鎵開關管、控制器、驅動器、高壓啟動電路和保護單元。

DK025G

  DK025G采用ESOP8封裝，可通過PCB銅箔散熱，簡化散熱要求，降低溫升。這款芯片廣泛應用于高功率密度快速充電器，筆記本電腦，平板電腦和機頂盒等產品的適配器。

  DK025G極大的簡化了反激式AC-DC轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK025G具備完善的保護功能：輸出過壓保護(OVP)，VCC過欠壓保護，過溫保護(OTP)，開環保護，輸出過流保護(OCP)等。

  東科推出的DK036G是一款高度集成的QR反激合封氮化鎵芯片，芯片內部集成650V 400mΩ氮化鎵開關管、控制器、驅動器、高壓啟動電路和保護單元。芯片通過內部快速頻率折返功能來調制最小峰值電流，達到快速降低開關頻率的目的，從而有效降低系統在輕載下的損耗，提升系統的效率。芯片采用130KHz PWM開關頻率，可以有效縮小充電器的變壓器體積，得到性能和成本的平衡。DK036G內置過熱、過流、過壓和輸出短路、次級開路保護功能，采用ESOP-8封裝形式，可通過PCB銅箔散熱，簡化散熱要求，降低溫升?？梢詮V泛應用于PD快充和電源適配器。

DK045G

  東科DK045G是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的準諧振反激控制 AC-DC 功率開關芯片，支持45W及以下功率應用。DK045G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當 VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。東科DK045G采用PDFN5*6封裝模式，可廣泛應用于高功率快充充電器，筆記本平板等適配器以及輔助和待機電源。

  DK045G 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品。DK045G 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過欠壓保護，過溫護（OTP）， 開環保護，輸出過流保護（OCP）等。

DK065G

  東科DK065G是一款高度集成了 650V/260mΩ GaN HEMT 的準諧振反激控制 AC-DC 功率開關芯片，支持65W及以下功率應用。DK065G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當 VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。東科DK065G采用PDFN8*8封裝模式，可廣泛應用于高功率快充充電器，筆記本平板等適配器以及輔助和待機電源。

  DK065G極大的簡化了反激式AC-DC轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密 度的產品。DK065G具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC過欠壓保護，過溫保護（OTP）， 開環保護，輸出過流保護（OCP）等。