前言

  在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中，電源技術水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器 + 驅動 + 氮化鎵功率器件組合設計，不僅電路布局較為復雜，產品開發難度相對較大，而且成本也比較高。

  為了實現更高的功率密度并降低外圍器件數量，目前已有許多電源芯片廠商在著手布局集成度更高的合封氮化鎵芯片產品線，用一顆芯片完成氮化鎵功率器件、PWM 控制、驅動、保護等功能，既能夠提升整體方案的性能，同時也能減少 PCB 板的占用，縮小尺寸并減少物料成本。

  目前，合封氮化鎵芯片已在小功率快充產品中實現規?；逃?。而隨著氮化鎵合封技術的不斷發展，已有多家芯片原廠推出了可用于 65W 功率段的合封氮化鎵芯片。

  東科半導體面向 65W 快充應用，推出了 DK065G 合封氮化鎵芯片，內部集成了 650V 260m Ω 氮化鎵開關管，最高支持 250kHz 開關頻率。芯片通過檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當 VDS 達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。

  東科 DK065G 采用 DFN8*8 封裝，待機功耗低于 50mW，采用谷底開通以降低開關損耗，內置高低壓輸入功率補償電路，保證高低壓下最大輸出功率一致，可廣泛應用于高功率快充充電器、筆記本平板等產品中。

  傳統的 65W 氮化鎵快充方案包括控制器 + 驅動器 +GaN 功率器件等，電路設計復雜，成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片，一顆芯片即可實現原有數顆芯片的功能，不僅使電源芯片外圍器件數量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高頻下的寄生參數，電源工程師在應用過程中能更加方便、快捷地完成調試，加速產品研發周期。                             

文章來源：充電頭網